，再到1999年，研发出手机芯片，就越来意识到芯片制程是非常重要…，
希望目前芯片制程能力，做到65纳米，45nm，甚至是28nm以下…
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众所周知，要想提高芯片制程的能力，光刻技术就特别重要了，就需要每年把光刻机的曝光关键尺寸(cd)降低30%-50%根据公式：a)，降低波长λ，提高镜头的数值孔径na，降低综合因素
以目前的光刻机技术，直接降低波长λ，是最直接的办法，为了降低光源的波长，全球光刻机厂商都投入巨资，研发下一代光刻机光源技术，
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根据目前全球的光刻机技术，其中，尼康投入巨资研发出波长更低的157nmf2准分子激光做为光源，但是，被现有193nm机器用的镜片吸收，造成分辨率等问题，并且，光刻胶也要重新研制，所以改造难度极大，而对193nm的波长进步只有不到25%，研发投入产出之间的比例，是非常之低…
可以说，变动时非常大的基本从目前193nm光刻技术上推倒重来
还有就是，由米国组织的euv联盟，而这个联盟是由英特尔，amd，摩托罗拉，asml，英飞凌等企业组成，正在验证了euv光刻机的可行性…
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相对以上的两种光刻机技术方案，都不是最优的，特别是euv联盟，所主导的euv光刻机方案，以目前的技术是非常难以实现，并且，是需要巨额的资金，没有一家公司能承受…
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那么，以目前的光刻技术193nmarf光源的干法光刻机，作出简单的更改，就能把光源波长降低，
降低光源的波长，可以在镜头与晶圆曝光区域之间的介质从空气换成水，由于水的折射率大约为，那么波长可缩短为=132nm，大大超过攻而不克的157nm，完全可以实现45nm，甚至是28nm以下制程
其工作原理就是：利用光通过水介质后光源波长缩短来提高分辨率，而浸没式光刻机采用折射和反射相结合的光路设计这种设计可以减少投影系统光学元件的数目，控制像差和热效应，实现光刻技术…
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根据以上的数据，浸入式光刻机，可以说属于轻微地改进，能产生巨大的经济效应，其光刻机的产品成熟度是非常高的，
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不过，顺便说一下，由米国组织euvllc联盟，是在2003年，这个euvllc联盟解散，也就是说，这个联盟只是存在了6年
当时尼康光刻机是没有进入euv联盟，米国认为这是米国的高科技，怎么能分兴给外国企业…
具体原因还是当时米国半导体，甚至是光刻机svg公司、被曰本公司，尼康公司打得落花流水，所以，担心曰本企业强大，米国