轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料
具有优异的光学、电学、力学特性，在材料学、微纳加工、能源、等方面具有重要的应用前景，被认为是一种未来革命性的材料
而芯片材料使用石墨烯，可以使芯片的速率提升百万倍，功耗远远于硅材料的cmos工艺…，其原因就是墨烯在室温下的载流子迁移率约为cm2（v·s），这一数值超过了硅材料的10倍，是已知载流子迁移率最高的物质锑化铟（insb）的两倍以上在某些特定条件下如低温下，石墨烯的载流子迁移率甚至可高达cm2（v·s）与很多材料不一样，石墨烯的电子迁移率受温度变化的影响较，50500k之间的任何温度下，单层石墨烯的电子迁移率都在cm2（v·s）左右
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不过，在21世纪，芯片材料在石墨烯的应用，只是停留在实验室，还没有大规模商用，其原因是石墨烯场效应晶体管替代硅材料场效应晶体管需要一段时间验证…，另外，在工艺上，如何批量生产大面积、稳定性好、高质量的石墨烯，也是难点之一，需要一定的时间解决…
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总之，李飞一定拿出巨额资金，源源不断地投入石墨烯的研发，这不光与各大学校合作，后续，李飞专门成立芯片材料研究院…，召集国内最优秀的人才，对石墨烯的研发…
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同时，在芯片制造和存储器制造上，李飞委托华夏科技大学，东大大学，对电子信息工程等相关电子技术专业进行定点培训，并且，直接签订工作合同，免掉学费，为后续芯片制造工厂提供后备人才，且人数不限…
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为了让定点培训的学生，快速地进入工作，那么，就意味着相关的教材就要符合实际工作技能，于是，李飞亲自编写《芯片制造工艺技术》《存储器制造工艺》
例如芯片制造工艺技术步骤：
1、湿洗(用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)
2、光刻(用紫外线透过蒙版照射硅晶圆，被照到的地方就会容易被洗掉，没被照到的地方就保持原样.于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案.注意，此时还没有加入杂质，依然是一个硅晶圆.)
3、离子注入(在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质，不同杂质根据浓度位置的不同就组成了场效应管.)
4、干蚀刻(之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的，而是为了离子注入而蚀刻的现在就要用等离子体把他们洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构，这一步进行蚀刻).
5湿蚀刻(进一步洗掉，但是用的是试剂，所以叫湿蚀刻)——以上步骤完成后，场效应管就已经被做出来啦，但是以上步骤一般都不止做一次，很可能需要反反