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第八十六章 20纳米(2)

在并行算法和结构几乎已经到达极限的此刻,想要制造算力更大的超算,便只剩下了一种途径。

研发更先进的芯片!

现阶段,李青松已经掌握了45纳米制程芯片的大规模制造技术。

按照人类世界已经实践过的技术路线,下一代,李青松应该研制28纳米制程的芯片。

但结合这些年来的不间断研究以及技术进步,李青松决定,绕过28纳米芯片,直接去研究更下一代的,20纳米制程的芯片!

一旦20纳米芯片研发成功,单枚芯片晶体管数量将会从约10亿个,直接暴涨提升到40亿个。

单枚芯片的综合性能也将提升约60%到100%之间。

但这不是最重要的,最重要的是,更高制程的芯片,可以适配更先进的并行算法以及配套硬件,单台超算里,李青松可以使用更多枚芯片并行运算,一台超算的算力大约可以在现有基础上提升40倍!

前景如此美好,但直接从45纳米提升到20纳米,绕过28纳米,显然意味着巨大的障碍和极高的难度。

计算科技研究基地里,李青松再度抽调了众多克隆体,在原有研究基础上,一同开始了对更先进芯片的研究之中。

短时间的预研之后,自己所需要攻克的技术难点分成了几个大类,呈现在了李青松面前。

“首先,我现在使用的深紫外光源波长太长,分辨率已经到达了极限,衍射效应导致图案模糊,不能刻写更小的晶体管结构。

其次,传统的晶体管在这个尺寸下,短沟道效应明显,功耗和性能难以控制啊。

还有,传统的硅栅极介质物理特性不能满足要求,这个也要改进”

李青松将克隆体们分成了几个大的团队,分别对各个方面的难题展开攻关。

日夜不休的研究之中,首先是光源出现了突破。

李青松开发出了波长更短的极紫外光源,将光的波长缩短到了仅有约13.5纳米,由此大大提升了分辨率。

除此之外,李青松还改变了之前的工艺,将之前的单次曝光,改为了多重曝光,便能通过增加工艺流程的方式,实现了加工精度的极大提升。

在这之后,李青松还找到了性能更好的材料,使用金属栅极代替二氧化硅栅极,再次实现了技术突破。

此刻已经是半年时间过去。其余大部分技术难题都被李青松攻克,唯有最难,也

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